София /КРОСС/  Samsung започна производство на 64-гигабитови чипове NAND флаш памет с клетки на няколко нива (MLC). Това са първите чипове с интерфейс от второ поколение с удвоена пропускателна способност (DDR2), поддържащ до 400 Mb/s, съобщава TechNews.

Новите флаш памети на Samsung ще намерят приложение в мобилни устройства от рода на таблети, смартфони и SSD устройства. Според компанията, DDR2 ще поддържа по-добре прехода на устройствата към усъвършенствани интерфейси като SATA (6 Gb/s) и USB 3.0.

Плътността от 64 гигабита на чип е постигната, благодарение на съвършен технологичен процес от порядъка на 20 нанометра, за който Samsung не разкрива подробности.

През 2009 година Samsung създаде чипове флаш памет с капацитет 32 гигабита с интерфейс DDR1 (133 Mb/s), които влязоха в масово производство през 2010 г. Устройства с новите DDR2 NAND флаш памети, вкл. SSD дискове и смартфони, се очакват на пазара след няколко месеца.

/ВС/