-
13 Септ 2026 |
- USD / BGN 1.1567
- GBP / BGN 0.8545
- CHF / BGN 0.9390
- Радиация: София 0.11 (µSv/h)
- Времето: София 0°C
Излизат първите DDR2 флаш памети
14 Май 2011 | 18:17
София /КРОСС/ Samsung започна производство на 64-гигабитови чипове NAND флаш памет с клетки на няколко нива (MLC). Това са първите чипове с интерфейс от второ поколение с удвоена пропускателна способност (DDR2), поддържащ до 400 Mb/s, съобщава TechNews.
Новите флаш памети на Samsung ще намерят приложение в мобилни устройства от рода на таблети, смартфони и SSD устройства. Според компанията, DDR2 ще поддържа по-добре прехода на устройствата към усъвършенствани интерфейси като SATA (6 Gb/s) и USB 3.0.
Плътността от 64 гигабита на чип е постигната, благодарение на съвършен технологичен процес от порядъка на 20 нанометра, за който Samsung не разкрива подробности.
През 2009 година Samsung създаде чипове флаш памет с капацитет 32 гигабита с интерфейс DDR1 (133 Mb/s), които влязоха в масово производство през 2010 г. Устройства с новите DDR2 NAND флаш памети, вкл. SSD дискове и смартфони, се очакват на пазара след няколко месеца.
/ВС/
ВАШИЯТ FACEBOOK КОМЕНТАР